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晶芯成公司申请半导体栅极结构新专利前景可期

作者:小编 日期:2025-05-07 12:44:12 点击数:
 金融界2025年3月19日消息,晶芯成(北京)科技有限公司近期喜获一项先进专利,标题为“半导体栅极结构的制备方法及半导体结构”,授权公告号为CN119069

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